イオン研磨装置

説明

用途

• SEM による内部構造の積層形状、膜厚評価、結晶状態のための試料前処理に。

スペック・付属品等

• 使用ガスAr （アルゴン）ガス
• 加速電圧 0.6kV
• 最大ミリングレート（材料Si 500μm/ hr）
• 試料移動範囲　断面加工時　X ±7mm 、 Y0 ～～+3mm
• 冷却温度調整機能　間接試料冷却、温度設定範囲　-100℃～0℃

サンプルについて

• 搭載可能な試料サイズ
  • １．断面ミリング
    • 最大20㎜(W)×12㎜(D)×7㎜(H)
    • ※加工範囲とは異なります

• • ２．平面ミリング
    • 最大Φ50㎜×25(H)mm
    • 最大加工範囲：直径約5㎜

消耗品について

• 別途、消耗品（マスク等）の費用をご負担いただきます。
• ※詳細についてはお問い合わせください。