更新日: 2021年11月11日

酸化・拡散炉

特徴

熱酸化シリコン膜の成膜

機種

大和半導体
TM7800-4

酸化・拡散炉

カテゴリー:

料金

使用料金:

¥2,500円(1時間あたり)

研究員による支援 3,900円/時
操作法説明 3,900円/時
時間外の機器利用料は2割増となります。

施設機器の利用制限

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説明

用途

  • シリコン基板上への酸化シリコン形成

スペック・付属品等

  • 酸化方式:
  •  ドライ(酸素),ウエット(水蒸気)
  • 基板サイズ:4 インチ
  •   4 インチ以下でご利用の場合には,別途,
  •   石英の治具(ボート)をご準備ください。
  • 炉内温度:最高1100℃

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